比HBM4更精密！韩国突破AR眼镜2500PPI Micro LED显示关键技术

6月11日消息，韩国电子通信研究院（ETRI）宣布成功开发面向AI和XR设备的超高分辨率LEDOS（LED on Silicon）显示技术，以及实现该显示器制造所需的超精密激光键合工艺。研究团队实现了2500PPI级Micro LED显示器制造，并完成了比HBM4更高密度的超微细键合技术验证。

随着AI眼镜和XR设备向更轻薄、更高画质方向发展，Micro LED被视为下一代近眼显示的重要技术路线。然而，超高像素密度显示器对芯片互连精度提出了极高要求，如何实现大规模、高精度键合一直是产业化过程中的关键挑战。

据介绍，ETRI此次开发的技术可在10微米（μm）级间距条件下完成约92万个凸点（Bump）的超高密度键合。相比之下，目前先进AI芯片所采用的HBM4封装通常采用约20μm间距、20万个左右凸点连接结构。这意味着该技术在连接密度和制造精度方面已达到甚至超过当前先进半导体封装水平。

除了提升键合密度外，研究团队还解决了超微细键合过程中的多项制造难题。传统高温键合工艺容易产生基板翘曲、颗粒污染以及对位误差等问题，而这些微小误差都会直接影响显示器良率和性能表现。

ETRI 研究人员使用 SITRAB 材料进行超精密粘合工艺

为此，ETRI开发了名为SITRAB的新型材料，并将其应用于激光同步转移与键合工艺。该材料能够有效抑制激光加工过程中产生的微污染物，同时支持室温工艺环境，从而降低热膨胀导致的基板变形和对位偏差，最终实现2500PPI超高分辨率LEDOS显示器制造。

值得关注的是，该技术已开始向产业化迈进。ETRI表示，SITRAB材料技术已完成向韩国本土材料企业的技术转移，相关工艺设备也已导入韩国半导体封装测试企业（OSAT）的量产线，并在实际制造环境中完成验证。

ETRI方面认为，基于SITRAB的LEDOS技术未来不仅可应用于AR眼镜、VR头显等XR设备，还可扩展至医疗、国防等超小型显示系统，以及先进半导体封装和异构集成领域。

此次成果已在全球显示行业顶级盛会SID Display Week 2026上公开展示，并获得Micro LED领域“People's Choice Award”。相关研究成果同时发表于国际学术期刊《Microsystems & Nanoengineering》。

随着AI眼镜产业快速发展，市场对于高亮度、高分辨率、低功耗显示技术的需求持续增长。业内认为，Micro LED与LEDOS技术有望成为下一代AR眼镜显示方案的重要方向，而超高密度键合能力则是推动其规模化量产和商业化落地的关键基础。

来源：etnews

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