据悉，全球首创Micro-LED无损键合技术路线的秋水半导体已连续完成Pre-A及A轮融资，合计近2亿元人民币。
本轮融资将主要用于宁波8英寸混合键合量产线的建设。投产后，宁波产线每月可产出千片8英寸晶圆，对应年产1000万颗以上Micro-LED芯片的供货能力，足以支撑头部终端厂商的规模化需求。
通过彻底摒弃传统的物理刻蚀工艺，秋水半导体从根源上解决了发光材料损伤问题，为Micro-LED的规模化量产及红光效率突破提供了革命性解法。并且秋水Micro-LED技术采用混合键合垂直堆栈的架构，已经在3.75微米像素内实现了超精细间距内的光芯片与电芯片的混合键合互联，未来混合键合间距可以下降到2微米，与华为近期发布的“韬（τ）定律”先进混合键合工艺间距处于同一工艺节点。
针对传统Micro-LED物理刻蚀工艺导致的材料损伤、良率低、漏电及红光量产困难等问题，秋水半导体通过独有创新的芯片架构，在像素之间建立起一道“电性绝缘”的隐形墙。这种全球首创的无损架构，在不破坏物理结构的情况下实现了各像素点的电性隔离。
发光材料完好无损，光效自然得以最大化保留。配合8英寸硅衬底和混合键合3D封装工艺，秋水半导体的方案可将芯片良率提升至6N以上（99.9999%），出光角度从±60°收窄到±10°，工作温度范围从低于50℃拓展至超过140℃，这意味着Micro-LED芯片行业彻底克服材料刻蚀损伤的桎梏，利用现有成熟AlInGaP红光材料，秋水可迅速实现红光Micro-LED芯片的量产。据悉秋水已经实现红光8英寸混合键合工艺的打通，今年内可以实现红光Micro-LED芯片的量产出货。此外材料刻蚀损伤的解决，也可以使Micro-LED芯片搭上半导体摩尔定律的快车，迅速将像素尺寸从现在的主流4微米推进到2微米，乃至亚微米范畴，从而满足AI眼镜轻量化与高清显示的需求。值得一提的是，2微米以下像素尺寸是Micro-LED行业的禁区，但不是半导体行业的禁区，无损结构可以彻底突破此禁区。同时，避免了刻蚀损伤和漏电通道，车规级和消费电子级的产品稳定性也有了更好的保障。
