近日,韩国国立金乌理工大学宣布,由该校尖端产业融合学部半导体工程专业教授严大英与全北大学新材料工程学部教授罗龙浩组成的联合研究团队,在纳米激光器领域取得重要进展,成功开发出一种基于Ⅲ族氮化物(InGaN/GaN)的纳米线谐振结构,实现了室温条件下的低阈值激光发射。
该研究被认为为下一代AR眼镜、VR头显及XR-AI融合方案中的超高分辨率微显示提供关键光源技术路径。随着近眼显示对像素密度、功耗及体积的要求不断提升,传统光源方案在微型化与能效方面面临瓶颈,而纳米激光器被视为潜在突破方向之一。
Ⅲ族氮化物半导体具备宽发光波长范围,是重要的发光材料体系,但传统薄膜结构由于缺陷密度较高且光学谐振结构受限,在实现低功耗、超小型激光器方面存在明显限制。针对这一问题,研究团队采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,通过自主外延生长技术,在n型硅(n-Si)基底上生长高质量n-GaN纳米线,并在其侧壁构建InGaN/GaN多量子阱及p-GaN层,形成核壳(core-shell)结构的纳米线光学谐振器。
在结构设计上,该纳米线谐振器通过扩大有效发光活性区域,提高光子在腔内的谐振效率,从而为激光发射提供更优条件。实验结果表明,在单根纳米线中,即便在室温连续波(CW)工作条件下,仍可实现低阈值且稳定的蓝色激光发射,同时具备高色纯度及单一方向性发射特性。
研究团队指出,该技术为构建纳米级激光光源像素提供了可行路径,有望应用于AR眼镜、VR头显及XR-AI融合系统中的微显示器件,推动实现更高像素密度、更低功耗以及更紧凑结构的近眼显示方案。
目前,相关研究成果已发表于国际学术期刊《Nano Energy》。

来源:etnews

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作者 sun, keting