富采与ALLOS合作推动8吋矽基Micro LED量产，面向AR显示

1月20日消息，LED厂富采宣布与德国半导体厂商ALLOS Semiconductors达成策略合作，双方将共同推动8英寸硅基氮化镓LED外延片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）的量产，加速Micro LED在AR及其他高整合度显示器应用领域的发展。

图源：富采

富采表示，公司具备高阶 LED 磊晶制造技术与产能，而 ALLOS 则在矽基氮化镓外延技术方面具有优势。此次合作将整合富采的 LED 结构技术与 ALLOS 的矽基氮化镓缓冲层技术，开发出的 GaN-on-Si LED 外延片在亮度与能效上可望达到传统蓝宝石基板（GaN-on-sapphire）水准，同时晶圆尺寸提升至 8 吋以上，可增加单片产出面积并提升制程效率。

富采指出，该技术具备超小像素间距，可满足近眼显示对高解析度的需求，并强调其与矽晶圆制程高度相容、具备量产可行性，将推动 Micro LED 供应链逐步成熟。

富采光电元件事业本部总经理唐修穆表示，本次合作可建立可扩展且高度兼容矽晶圆制程的量产途径，同时布局 8 吋矽基氮化镓 Micro LED 外延技术，强化对快速成长 Micro LED 产业的价值链与解决方案供给。

富采还透露，此次 8 吋量产合作将为未来 12 吋矽基氮化镓 LED 外延技术铺路，以满足市场对更大晶圆的需求并加速 Micro LED 普及。

来源：艾邦智造整理

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